产品详细内容
产品型号: 63-6990-76
产品品牌: IXYS
功能
- N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET GigaMOS Series
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:420 A
- 最大漏源电压:100 V
- 最大泄漏源电阻:2.3 mΩ
- 最大门限电压:5V
- 最小门限电压:2.5V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-227
- 安装类型:表面安装
- 销数:4
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功率消耗:1.07 kW
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:125-8043
相关产品推荐
您可能还对以下产品感兴趣
63-7609-82 Bourns1GangRotaryCermetPotentiometer用6mmDia。轴,1kΩ,±10%,2W,线性93R1A-R22-A10L 93R1A-R22-A10L
型号: 63-7609-82
品牌: Bourns
63-7472-46 TRACOPOWER 10 5 6W隔离直流-直流换流孔,电压在18→36 V直流,电压在3.3V直流 TEN 5-2410
型号: 63-7472-46
品牌: TRACOPOWER
63-5107-23 安森美半导体2SK3557-6-TB-EN通道JFET, 15 V, Ids 10→20mA,3针CP 2SK3557-6-TB-E
型号: 63-5107-23
品牌: ON Semiconductor