产品详细内容
产品型号: 63-5070-14
产品品牌: Infineon
功能
- P通道功率MOSFET12V至20V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件,这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准,降低传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:2.6 A
- 最大漏源电压:20 V
- 最大泄漏源电阻:236 mΩ
- 最大门限电压:1.1V
- 最小门限电压:0.4V
- 最大栅源电压:-12 V,+12 V
- 封装类型:SOT-23
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:1.3 W
- 典型的关机延迟时间:26 ns
- 代码号:760-4432
相关产品推荐
您可能还对以下产品感兴趣
63-7011-64 CAMDENBOSS 71,聚碳酸酯外壳,IP66,法兰,139.7 x 88.9 x 38.1毫米 CHD7101BK
型号: 63-7011-64
品牌: CAMDENBOSS
63-7616-50 TEConnectivityPT4PDT非锁定继电器PCB安装,24V直流线圈,6A PT570L24 6-1415001-1
型号: 63-7616-50
品牌: TE Connectivity
63-7033-37 DMNH6008SCTN沟道MOSFET, 60 V,3引脚TO220AB二极管有限公司 DMNH6008SCT
型号: 63-7033-37
品牌: DiodesZetex