63-5027-98 IRLML2060TRPBFN沟道MOSFET, 1.2 A, 60 V HEXFET,3-PinSOT-23英飞凌 IRLML2060TRPBF
电子元件控制设备

63-5027-98 IRLML2060TRPBFN沟道MOSFET, 1.2 A, 60 V HEXFET,3-PinSOT-23英飞凌 IRLML2060TRPBF

型号: 63-5027-98
品牌: Infineon

产品描述

产品型号: 63-5027-98产品品牌: Infineon 功能 N通道功率MOSFET60V至80V,英飞 […]

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产品详细内容

产品型号: 63-5027-98
产品品牌: Infineon

功能

  • N通道功率MOSFET60V至80V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素,可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准,降低传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

规格

  • 数量:1袋 (20个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:1.2 A
  • 最大漏源电压:60 V
  • 最大泄漏源电阻:480 mΩ
  • 最大门限电压:2.5V
  • 最小门限电压:1V
  • 最大栅源电压:-16 V,+16 V
  • 封装类型:SOT-23
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:1.25 W
  • 典型的关机延迟时间:3.7 ns
  • 代码号:725-9357

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