63-4936-14 FDS8880N沟道MOSFET, 11.6 A, 30 V PowerTrench,8引脚SOIC安森美半导体 FDS8880
电子元件控制设备

63-4936-14 FDS8880N沟道MOSFET, 11.6 A, 30 V PowerTrench,8引脚SOIC安森美半导体 FDS8880

型号: 63-4936-14
品牌: ON Semiconductor

产品描述

产品型号: 63-4936-14产品品牌: ON Semiconductor 功能 PowerTrench®N […]

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产品详细内容

产品型号: 63-4936-14
产品品牌: ON Semiconductor

功能

  • PowerTrench®N沟道MOSFET,10A至19.9A,飞兆半导体

规格

  • 数量:1袋 (5个)
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:11.6 A
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大泄漏源电阻:10 mΩ
  • 最小门限电压:1.2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 封装类型:SOIC
  • 安装类型:表面安装
  • 晶体管配置:单一
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:2.5 W
  • 典型输入电容@Vds:1235 pF@15 V
  • 代码号:671-0728

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