产品详细内容
产品型号: 63-4866-59
产品品牌: Infineon
功能
- P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1件
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:31 A
- 最大漏源电压:55 V
- 最大泄漏源电阻:60 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:110 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:541-1736
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