产品详细内容
产品型号: 63-4866-39
产品品牌: Infineon
功能
- N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:33 A
- 最大漏源电压:100 V
- 最大泄漏源电阻:52 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:TO-247AC
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:140 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:541-1269
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