产品详细内容
产品型号: 63-4821-19
产品品牌: STMicroelectronics
功能
- N沟道FDmeshTM功率MOSFET,意法半导体
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:20 A
- 最大漏源电压:600 V
- 最大泄漏源电阻:290 mΩ
- 最大门限电压:5V
- 最小门限电压:3V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包类型:TO-220
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:192 W
- 典型周转延迟时间:25 ns
- 代码号:486-2228
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