产品详细内容
产品型号: 63-7020-70
产品品牌: Infineon
功能
- N-Channel Power MOSFET 12 → 25 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
规格
- 数量:1袋 (25个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:7.2 A
- 最大漏源电压:20 V
- 最大泄漏源电阻:53 mΩ
- 最大门限电压:1.1V
- 最小门限电压:0.4V
- 最大栅源电压:-12 V,+12 V
- 封装类型:PQFN
- 安装类型:表面安装
- 销数:6
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:9.6 W
- 典型的关机延迟时间:54 ns
- 代码号:130-1018
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