产品详细内容
产品型号: 63-6990-78
产品品牌: IXYS
功能
- N Channel Trench Gate Power MOSFET, IXYS
- Trench Gate MOSFET Technology Low On Resistance (RDS (on)) Excellent Avalanche Durability
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:110 A
- 最大漏源电压:250 V
- 最大泄漏源电阻:24 mΩ
- 最大门限电压:5V
- 最小门限电压:3V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:TO-247
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:694 W
- 系列:风衣
- 代码号:125-8047
相关产品推荐
您可能还对以下产品感兴趣
电子元件控制设备
电子元件控制设备
63-7578-51 Vishay 2 Gang旋转式电位仪，直径6.35 mm。轴，1kΩ，±10%，1W,线性14921F0GJSX13102KA 14921F0GJSX13102KA
型号: 63-7578-51
品牌: Vishay
电子元件控制设备
电子元件控制设备