产品详细内容
产品型号: 63-4936-39
产品品牌: ON Semiconductor
功能
- 增强模式N沟道MOSFET,飞兆半导体。增强模场效应晶体管 (FET) 采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺被设计成最小化通状态电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
规格
- 数量:1袋 (10个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:280毫安
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:2Ω
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-23
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:小信号
- 最大功耗:300 mW
- 典型输入电容@Vds:20 pF@25 V
- 代码号:671-1093
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